三星第三代10nm級(jí)內(nèi)存芯片就位 突破制程極限

　　雖然三星在本周三表示，由于全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)緩慢以及數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存產(chǎn)品的需求不再強(qiáng)烈，內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)會(huì)極其困難，但三星依舊沒有停下探索內(nèi)存芯片制造工藝的步伐。3月20日，三星電子宣布已開發(fā)出了第三代10nm級(jí)(1z-nm)的8GB DDR4 DRAM芯片，在業(yè)界內(nèi)首次達(dá)到了這個(gè)成績(jī)。一起來看看。

　　此時(shí)距離三星大規(guī)模生產(chǎn)第二代10nm級(jí)(1y-nm)8GB DDR4 DRAM芯片僅僅過去了16個(gè)月，可見三星在芯片研發(fā)上的效率。根據(jù)三星給出的信息，第三代DDR4 DRAM也就是1z-nm級(jí)，相比此前的1y-nm在生產(chǎn)效率上有了20%的提升，更容易滿足市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存芯片的需求。并且工藝的進(jìn)步也會(huì)帶來效能的提升，同樣的存儲(chǔ)體積下，1z-nm能實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的耗電和執(zhí)行效率。

　　三星電子預(yù)計(jì)，采用1z-nm工藝制造的第三代8GB DDR4 DRAM芯片將從2019年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)，有望適用于未來2020年生產(chǎn)的下一代服務(wù)器和高端PC產(chǎn)品。當(dāng)前的內(nèi)存芯片規(guī)格除了PC上主流的DDR4之外，還有DDR5、LPDDR5和GDDR6等等。三星認(rèn)為在DDR4上成功使用的1z-nm工藝，為拓展到其他規(guī)格上打下了基礎(chǔ)，今后我們有望在更多的內(nèi)存產(chǎn)品上見到1z-nm工藝的應(yīng)用。

　　在我看來，內(nèi)存產(chǎn)品在前幾年的漲價(jià)潮流之后，近幾年價(jià)格又因?yàn)楫a(chǎn)能大于需求開始逐步下滑，對(duì)于消費(fèi)者來說更加友好。不過在消費(fèi)級(jí)領(lǐng)域，內(nèi)存的容量已經(jīng)開始有了停滯的現(xiàn)象，無論是應(yīng)用還是硬件規(guī)格上，消費(fèi)者們購買內(nèi)存的熱情不如以前。廠商想要在價(jià)格更高的情況下也能擁有不錯(cuò)的銷售成績(jī)，就得拿出有明顯優(yōu)越賣點(diǎn)的產(chǎn)品來刺激消費(fèi)者，帶來更大的內(nèi)存和更加優(yōu)異的速度表現(xiàn)，或許是不錯(cuò)的辦法。

　　以上就是三星第三代10nm級(jí)內(nèi)存芯片就位，突破制程極限的全部?jī)?nèi)容，希望對(duì)你有所幫助。

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